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英特尔公布新款NOR闪存技术

来源:存储时代 洋溢 编辑2005/3/12
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  英特尔(Intel)近日发布多款即将推出的NOR闪存产品,以扩大其2005年手机与嵌入式方案产品线,并为手机及嵌入式市场推出多层CELL闪存产品与简化的软件。该系列技术产品将于今年开始供货予手机与嵌入式产品客户。

  针对手机市场推出的第一款产品代号为“Sibley”,这是第一款采用90奈米制程技术的NOR多层Cell(multi-level cell;MLC)闪存。Sibley系列产品将提供高速NOR读取效率,以108MHz的频率提供零延迟的程序代码执行效能。

  此外,Sibley的写入速度达每秒500kbps,让无线掌上型装置能迅速储存多媒体影像。这一系列产品将提高NOR闪存储存的密度,支持512Mb的装置,并支持多种RAM接口,为手机OEM厂商提供最高的设计弹性。

  英特尔同时针对手机市场推出代号为“Naubinway”的闪存软件,这套新一代快闪数据整合(Intel Flash Data Integrator,FDI)软件乃针对多媒体手机所设计。当利用手持式装置储存数字影像、数字音乐以及串流影片等大型档案时,Naubinway将能降低软件运作的负荷,提供最高的闪存效能。

  新系列闪存产品“Sixmile”乃针对嵌入式产品市场而设计,是单位位成本最低的嵌入式闪存解决方案。Sixmile系列产品将提供各种密度、封装及功能,将支持有线通讯、消费性电子以及工业等市场的各种应用。


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