Intel与美光联合投资的IM Flash Technologies公司宣布成功开发出一种新型NAND闪存技术，可达现有水平的五倍之多。

　　据悉，这种新的NAND闪存基于SLC技术，符合ONFI 2.0规范，读取速度可达200MB/s，写入速度也有100MB/s，非常适合开发新的缓存辅助加速、固态硬盘产品，籍此开发的嵌入式和便携式方案也能更充分地利用PCI-E 2.0、USB 3.0等高带宽总线的优势。

　　目前美光已经开始使用这种新技术试产8Gb闪存芯片的样品，并采用了50nm工艺，预计今年下半年就能投入批量生产。

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