关于内存延迟

　　自内存进入DDR2时代，较高的延迟参数就一直被DIY玩家所诟病，而即将到来的DDR3内存更是应为延迟参数前所未有地提高而让玩家们嗤之以鼻。低延迟在不少用户的心目中是与高性能划等号的，而厂商为了迎合这些玩家亦推出了相应的低延迟内存产品，当然这些内存价格比普通内存要贵出不少。

　　我们往往能在内存铭牌上看到5-5-5-15、5-5-5-18等内存延迟参数，它们代表的意义从左往右分别是：

　　CAS Latency，即列地址选通脉冲时间延迟，我们常说的CL值就是它。指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。

　　RAS－to－CAS Delay（tRCD），对应于CAS，RAS是指Row Address Strobe，行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS（数据请求后首先被激发）和CAS（RAS完成后被激发）并不是连续的，存在着延迟。即内存行地址传输到列地址的延迟时间。

　　Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间，即内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。

　　Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。是指从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。

　　这些参数在主板的BIOS中可以进行详细的调节，一些有实力的主板厂商更是开放了更为丰富的内存延迟参数设置选项。

　　由于内存的读写速度远远落后于CPU的处理速度，因此减少这些读写延迟理论上可以提高内存甚至是整个PC系统的性能。实践才是检验真理的唯一标准，同频率内存下更低的延迟性能能够提升多少呢？下面就让我们通过实际测试获得答案。