通过继续的增加电压的测试，我最终将内存的频率锁定在1230MHz上，此时的内存延迟值仍然是4-4-4-5。在测试结束后我简单地将收集到的数据绘出了一幅曲线图如上。从图中可以看到：对内存增加电压最有效的区域是2.4V-2.5V这个区间，而且电压值不是很高，比较适合普通超频发烧友长期使用。

　　在2.7V的高压下GSkill F2-8000PHU2-1GBHZ终于达到了1200MHZ以上，但是想要再提高频率的话就几乎不可能了。因为我无论如何增加电压也无法提高GSkill F2-8000PHU2-1GBHZ的频率，所以下面我们就来看看在3-3-3的低延迟值下，GSkill F2-8000PHU2-1GBHZ的表现。