



通过继续的增加电压的测试,我最终将内存的频率锁定在1230MHz上,此时的内存延迟值仍然是4-4-4-5。在测试结束后我简单地将收集到的数据绘出了一幅曲线图如上。从图中可以看到:对内存增加电压最有效的区域是2.4V-2.5V这个区间,而且电压值不是很高,比较适合普通超频发烧友长期使用。
在2.7V的高压下GSkill F2-8000PHU2-1GBHZ终于达到了1200MHZ以上,但是想要再提高频率的话就几乎不可能了。因为我无论如何增加电压也无法提高GSkill F2-8000PHU2-1GBHZ的频率,所以下面我们就来看看在3-3-3的低延迟值下,GSkill F2-8000PHU2-1GBHZ的表现。