尽管茂德与海力士（Hynix）已针对70纳米以下制程签署了共同开发技术合约，然而近期业界传闻因为韩国政府担心高端制程技术会有外移的疑虑，迟迟不愿批准海力士放行新一代制程技术，期间更传闻竞争对手三星电子（Samsung Electronics）担心海力士市场占有率不断扩大，频频向韩国政府关切，阻止海力士技术转移。不过，刚从韩国海力士总部返回中国台湾的茂德董事长陈民良表示，未来在70纳米以下制程绝对会与海力士共同研发新技术，茂德一定会走上技术自主之路。

　　自从茂德与德系英飞凌（现为奇梦达）策略联盟破局后，在追求DRAM制程技术转移路上可说是载浮载沉，中间一度与日系尔必达（Elpida）接触，最后在2003年底正式与海力士共同签署合作备忘录（MOU），2005年初双方更在上海召开盛大记者会，宣布签订长期策略联盟合约，为茂德当时悬宕已久的技术来源，吃下定心丸。

　　目前茂德在70纳米制程技术已开始成熟量产，针对70纳米以下制程技术，茂德在与海力士签订共同技术开发合约后，未来有望逐渐走上技术自主之路，然日前业界传闻由于韩国政府担心高科技制程会有外泄和外移疑虑，因此，对于海力士新一代技术转移，迟迟不愿意放行，令市场担忧茂德与海力士的技术合作是否会因而延宕。

　　陈民良本周甫从韩国海力士总部密谈返台，据悉本行主要目的即是针对DRAM新一代制程技术转移做进一步讨论。陈民良表示，双方共同开发新制程合约已签订，未来一定会与海力士共同开发新技术，茂德一定会走向技术自主之路，而韩国政府对于技术外移有疑虑的问题，就好像是中国台湾高科技厂商要登陆的问题一样，需要一些时间沟通。

　　此外，业界更传闻因为海力士与韩国主要竞争对手三星电子之间缠斗面向扩大，由DRAM领域延伸至NAND型闪存（Flash）市场，三星担心海力士与台系厂商之间不论是产能或技术合作，都会使其在全球市占率受威胁，因此，遂积极向韩国政府关切技术外移之事，也成为海力士与茂德未来在技术开发上的一大阻碍。

　　相比海力士与茂德、尔必达与力晶、奇梦达与南亚科的策略联盟，三星一直以来都坚持半导体自有技术不能外移的原则，在DRAM和NAND闪存市场都是自己打拼，然面对2007年下半DRAM和NAND闪存市场双双疲弱不振，三星凭借一己之力来扩产和维持市占率，却也显得格外辛苦。

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