2.全新设计的CMOS，更高的宽容度、更高降噪效果、更高的拍摄速度

　　在1D MARK III上使用的CMOS重新设计的APS-H CMOS，CMOS有效面积为28.1 x 18.7mm，焦距折算倍率为1.3倍，有效像素为1010万像素。

　　新的CMOS在成像效果上有了巨大的飞跃，根据白皮书提供的信息表明，在各感光度下，尤其是高ISO下，影阴处的噪点相比1D MARK II N降低了50%，而且可以具有更高速的感光读取（10张/秒）。由于使用了双DIGIC III处理器，1D MARK III的ISO宽容度达到了目前世界数码单反相机第一（2007年2月），正常ISO从100——3200，同时还提供了L档，ISO为50，以及更高的H档，ISO达到了6400。通过下图，我们来对比一下1D MARK III和佳能其他数码单反的ISO范围。

　　1D MARK III的CMOS单一像素面积要比1D MARK II N小25%，面积仅有7.2μm，和1DS MARK II一样，下图是1D MARK III与和佳能其他数码单反的像素面积的比较。

　　由于1D MARK III达到了千万像素，因此，在同样的APS-H尺寸面积下就需要更小的像素面积，但其实缩小的只是感光区域之间间距，而感光区域是没有变化的。我们都知道，由于缩小了感光区域之间的距离，也就是说在相同的面积上设计更多的像素，像素之间会有聚光时产生暗电流影响出现噪点。1D MARK III虽然拉近了像素间距，但由于使用了优化的光敏半导体，并使用了经过优化的微聚光透镜，因此可以保证聚光的准确性，减少单一像素间聚光的影响，从而减少噪点的出现。

　　从此图可以看出1D MARK III上使用的新CMOS与1D MARK II N上的CMOS的设计区别。

　　此图是1D MARK III的CMOS与具有更大CMOS面积的全画幅的1DS MARK II的对比，可以看出同样像素面积、不同感光元件面积之间的光线输入状态。

　　为了实现更高速的连续拍摄，并在存储和传输中达到最快速度，1D MARK III同样采用了八通道读取。

　　下面来看一下感光元件结构。新的感光元件一共由六层组成，从里到外有CMOS、垂直偏转低通滤镜、移向层、水平偏转低通滤镜、红外吸光滤镜、分色镜。红外吸光滤镜可以有效的减少红外线和紫外线对CMOS感光的影响。采用垂直和水平两片偏转低通滤镜，结合移向层组成的低通滤镜层，可以有效的避免摩尔纹的产生。

　　在高光宽容度上，1D MARK III有一个高光宽容度优先功能，在ISO为200-3200时，打开该功能后，会对有高光溢出的地方进行细节的弥补。