不久前,市场传出海力士(Hynix)在60奈米制程技术上出现问题,只不过当初海力士未对此证实,如今海力士执行长Kim Jong Kap首度对外坦承制产能上出现漏洞,不过市场人士指出,对海力士来说目前首要任务是要服务好苹果这家VIP等级客户,因此虽然制程上出现问题,但还是必须调拨更多产能投入NAND Flash,正因为如此将使得未来几个月DRAM产能供应量大幅缩小。
根据来自彭博资讯报导指出,Kim Jong Kap首度对外表态,海力士在产能供应上的确有些漏洞,但海力士正加速补救。据了解,海力士为能在不更换机器设备又能增加产出的状态下,已将制程技术进一步微缩到57奈米制程,希望能赶上这股两年难得一见的苹果旋风。不过到目前为止虽然海力士的问题已开始解决,但还是赶不上苹果源源不绝的需求。
为此海力士已着手调拨更多产能用于投产NAND Flash,原因在60奈米制程技术的稳定度还有调整空间,因此短时间内除了拉高良率外,海力士也同步调拨DRAM产能投入NAND Flash。但由于整体产能有限,只要动用到标准型DRAM产能,势必将影响到DRAM产出数量,因此分析师认为全球第3大DRAM供应商一旦调拨产能至NAND Flash时,将有助于未来标准型DRAM市场行情持续加温。
DRAM厂愈来愈有自信表示,就现阶段整体DRAM供给与需求来看,已出现供不应求情况,且这样的状态将会愈来愈严重。原因在不只海力士抢搭苹果热,连三星电子(SAMSUNG Electronics)也不会放过毛利率较高的NAND Flash市场,因此势必会再调整更多产能转进NAND Flash,如此一来可预期DRAM下跌的机会就减少许多。
至于NAND Flash市场目前可说是愈烧愈旺,根据7月上旬集邦所开出的NAND Flash合约价来看,在苹果包下大幅产能效应下,SLC规格的NAND Flash市场供给持续吃紧,下游厂商拿货同样出现困难,因此使得SLC合约价大涨,平均涨幅约15%~30%;MLC的部分,除了4GB的MLC因供应商持续将产能转往8Gb以上的产品,4GB产出日益降低而大涨30%,高容量MLC也顺势涨了3%~6%。由于MLC应用较高,占整体NAND Flash产出80%以上,因此DRAM厂将产能转移到MLC也导致SLC缺货严重。
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