2007年对NAND型闪存（ Flash）产业而言，是热闹滚滚，但也杀声震天的1年。从2006年底持续到2007年初的价格崩盘惨况，使NAND Flash价格跌幅远超过50%，然至第1季末，因苹果（Apple）年度补货效应，加上8月发生三星电子（Samsung Electronics）跳电停产事件扩大缺货情形，使NAND Flash价格一路走强至9月初，才又因逢产业淡季与50奈米制程产品大量出货等因素再度一路下探。

　　仅管NAND Flash价格走势总如坐云霄飞车般狂升狂跌，各NAND Flash大厂在制程与产能的竞技上仍是按既定规画，步步为营；在产业进入淡季之际，更是抛出新制程提前转换与规格接口之争阵势底定等新话题，让业界对于2008年各NAND Flash大厂的版图消长，增添更多想象空间。

　　段标：海力士抢先转进48奈米制程　40奈米战火提前点燃

　　2007年底NAND Flash产业最受人瞩目的议题，莫过于海力士（Hynix）宣布其48奈米制程技术研发完成，并将于2008年第1季开始量产的消息。这使原本预定于2008年第3季量产40奈米产品的三星与东芝（Toshiba），不得不加快脚步，缩短新制程产品上市时间。

　　不论海力士是否真能于2008年第1季顺利量产，此消息一出，势必促使三星与东芝加速其量产时程，也许最快在第1季底或第2季初，就可看到三星与东芝开始量产40奈米制程NAND Flash的消息，届时原本预估在2008年下半才会开打的40奈米制程大战，将提前至2008年上半点燃战火。

　　然整个NAND Flash产业的相关业者也都在看，海力士在短短1年内，进行3级跳式的制程大跃进，在如此快速的制程转换下，产品质量是否经得起考验，毕竟2007年6月海力士60奈米制程NAND Flash因于产品测试过程中出现数据断讯，而遭苹果整批退货事件，让业界记忆犹新。

　　虽海力士宣称其57奈米制程导入过程顺利，产品良率也不错，下游客户仍是拿货拿得心惊胆跳，且过去NAND Flash产业每次进行制程转换时，光是将新制程调整到最佳运作状态就要花上3~6个月，随着制程愈微缩，调整期只会更长；海力士虽有望赶在三星与东芝之前量产40奈米制程世代产品，然跑第1个的，也将最快面临制程转换的艰难考验，海力士能否把握此次契机，顺利调整制程到最佳状态，并搭配产能的配置，在40奈米制程阶段取得较佳的立足点，将是2008年观察重点之一。

　　段标：东芝、海力士动作频频　三星独霸的时代将告结束

　　2007年9月，东芝与新帝（SanDisk）合资的新12吋晶圆厂Fab 4正式启用，为目前全球产能最大的12吋晶圆厂，月产能最高可达21万片。当时东芝即对外宣示，将于2008年打败三星，重新夺回NAND Flash的霸主宝座，仅管Fab 4在2008年将仅以月投片量8万片为目标，然若2008年市况不错，想要增加产能亦是轻而易举；反观三星在2008年并无新晶圆厂启用，NAND Flash所需产能主赖DRAM产线调播，在三星还需抽出一部分心力防范海力士夺其DRAM市占宝座的情形下，势必无法全力与东芝抗衡，也难怪东芝如此信心满满，要趁2008年挟其产能优势与三星一决胜负。

　　而三星于DRAM领域的强劲对手海力士，在NAND Flash领域也是动作频频。海力士在2007上半年仍以DRAM为产品策略主轴，到了2007年下半转为积极布局NAND Flash市场，不但在制程技术上力求突破，在产能调配上亦大幅调高NAND Flash比重，其原本以生产DRAM为主的Fab 10也改为全数生产NAND Flash，预估每月可多贡献约2万片的12吋NAND Flash芯片，这也使其在NAND Flash芯片的供应更为充足，光是在2007年第3季，在NAND Flash市况不错的情况下，海力士的市占率便首度超过20%，逼近东芝的25%。

　　至于IM Flash，依其12吋新厂必须等到2008年下半才能启用的时程来看，IM Flash要在2008年与三星、东芝及海力士近身相搏可能还不是时候，最快也要到2009年才有机会，然其NAND Flash产品市占率，每年呈倍数成长，足见其爆发力；展望2008上半年，IM Flash应会以与下游客户建立良好关系为主，待新厂启用，大量开出的产能才有出路，其幕后金主英特尔（Intel）与美光（Micron）近来积极推广固态硬盘（Solid State Disk；SSD）的相关应用，即是最好的证明。

　　相较东芝、海力士与IM Flash所表现出的强烈企图心，三星似乎仍未见有什么大动作，然其在NAND Flash领域的市占率，从2005年的53%、2006年的45%、到2007预估仅剩40%来看，一直处于下滑情形，尽管就2007年来看，其市占版图与东芝、海力士仍领先一小段，然2008年将可能面临被东芝、海力士追上，沦落至只能与别人3分天下的局面，对于三星而言，不积极以对恐怕不行。

　　段标：制程产能竞赛还不够　拉长战线打接口规格战

　　若说制程竞技与量产速度为各NAND Flash大厂的一级战线，则各大厂所属阵营的NAND Flash标准接口规格开发，便可视为其战线的再延伸。

　　NAND Flash界面之所以需要标准化，主因NAND Flash制程技术难度日增，其终端应用产品也愈来愈多元，不论个别NAND Flahs芯片与控制IC之间，或是NAND Flash与终端产品各应用系统平台间，都需要有1个标准化的接口来加强彼此的连结，以提升NAND Flash与各系统间的兼容性，加速产品上市时间。

　　NAND Flash接口规格的制定，早在2006年IM Flash成立之初，便由英特尔出面号召相关业者成立ONFI（Open NAND Flash Interface）联盟，进行NAND Flash统一接口的开发，除三星与东芝以外的NAND Flash相关业者皆已加入，然加入规格制定的会员太多，意见也较难整合，直到2007年底尚未有共识版本出炉。

　　反观东芝本身即具备独自开发NAND Flash标准接口规格的能力，起步亦比ONFI联盟早，如今已完成LBA（Logical Block Addressing）接口规格的开发，其LBA接口的NAND Flash产品，预计在2008年即可推出；而NAND Flash技术师承东芝的三星，也于2007年底决定加入东芝阵营，以交叉授权的方式取得东芝LBA接口NAND Flash的技术专利，连手对抗以英特尔首的ONFI阵营。

　　这对于当初大张旗鼓召兵买马的英特尔阵营而言，面子上总是挂不住，故也势必赶在2008年推出其ONFI接口的NAND Flash产品；因此，预估2008年将会是英特尔与东芝2大阵营，在NAND Flash接口规格战中的第1波正面交锋，谁能占得上风，也将左右着下游相关业者的产品规画。

　　整体而言，延续2007年的态势，NAND Flash产业在2008年仍将是热闹的1年，但比起2007年更增添不少火药味；4大NAND Flash厂势力版图可能面临重大消长，依附着这4大厂生存的众多相关业者，也可能因为选错边而错失获利良机，新的1年即将来临，NAND Flash产业虽说4厂鼎立局面已定，谁能取得致胜先机，也仍是未定之天。

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