美国纽约州Rensselaer工学院科学家的最新试验显示，在45nm及以下制程中，碳纳米管材料的性能已经超过目前普遍使用的铜互连工艺。

　　他们通过计算机模拟完成了这次试验，这也是全球第一次包含详细量子效应的芯片模拟试验，使用该校计算中心的100TFlops IBM超级计算机完成。试验最终结果显示，由于发热量过大，在45nm或更小的尺寸下，铜互连工艺无法实现理想的效果。而如果使用碳纳米管互联则可解决发热问题。

　　Saroj Nayak教授表示：“我们相信，碳纳米管在45nm制程下的表现会比铜质连线更为出色。将来我们会对两种构造的性能进行精确的比较。”研究者建议，在45nm及更精密的制程下，采用碳纳米管来作为芯片上互连导线的材料，可以降低阻抗，从而降低功率。

　　研究者表示，之前很少有芯片厂商原因使用碳纳米管的原因是，他们没有精确的测试数据以显示碳纳米管的优势所在，此次的试验能够给予他们信心。但目前的问题是，还没有一种方法可以大量制造碳纳米管。实验室中制造碳纳米管的方式，根本无法适用于芯片量产。

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