德国国家物理技术研究院（PTB）研发小组进行了一项实验，通过磁性介质以从物理学角度理论上可行的最快速度完成数据的存储和读写。这将助于使磁阻式随机存取存储器（MRAM）的读写速度赶上相应的电子存储器件。

　　MRAM可取代DRAM和SRAM。因为现在流行的计算机存储芯片如DRAM和SRAM都存在掉电后数据即丢失的缺点，而MRAM并非通过电荷充电而是通过改变其存储单元的磁性方向来存储数据，因此不会受掉电的影响。通过对MRAM的存储单元加正脉冲或负脉冲即可写入计算机内部数据 （0/1）。最新一代MRAM采用转矩（spin-torque）技术可以实现更高存储密度。正因MRAM具有上述优点，全球研发人员都在积极开发用于MRAM的技术解决方案。

　　通过转矩（spin-torque）存储单元的电流脉冲会导致磁性存储介质的磁性发生变化。为了将MRAM中某单元内的信息bit位进行可靠地转换，现在的读写技术需要将对应的正/负脉冲维持一定时间。因此写入过需要约10纳秒。

　　PTB的实验表明可以在一个变化脉冲内写入MRAM的某个单元。PTB表示，通过整合正确的电流脉冲参数和低密度静态磁场，研发人员可以实现他们称之为“ballistic switching（飞速转换）”。很显然，选择脉冲参数至关重要。PTB会将更多详细内容发表在《Physical Review Letters magazine》9月刊上。

　　PTB研究人员在一次新闻发布会上表示，通过数据的快速交换，MRAM的写入周期可以低于1纳秒。考虑到SRAM数据掉电不能保存的缺点，从技术的角度来看，MRAM可以和最近成长迅速的SRAM一决高下。

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